Корейские специалисты разработали эластичную память

память Ученые из Корейского факультета науки и технологии (KAIST) рекомендовали свежую методику производства резистивной памяти с случайным доступом (RRAM).

Спроектированная система дает возможность создавать полнофункциональные микросхемы энергонезависимой памяти, владеющие возможностью к деструкции. Данные могут быть почитаны и записаны в случайном порядке с хорошей скоростью.

Подчеркивается, что экспертам KAIST удалось исправить ситуацию интерференции между примыкающими ячеями памяти. Для этого на эластичной пластмассовой подложке были встроены производительный монокристаллический кремневый триод и мемристор. Напоминаем, что мемристоры являются четвёртым инертным объектом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности. Главная особенность элемента этого вида — гистерезис: реакция на влияние находится в зависимости от сил, действовавших раньше, другими словами положение системы устанавливается её своей историей. Поток, проходящий через мемристор, ведет к изменению его ядерной конструкции, после чего противодействие элемента меняется в тысячу и не менее раз. Это дает возможность использовать элемент в роли ячеи памяти.

Оставить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *